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Aluminum Nitride Thin Films - Deposition for Fabrication, Characterization and Fabrication of Surface Acoustic Wave Devices
Dünne Schichten aus Aluminiumnitrid (AlN) können für viele Bauelemente verwendet werden, z. B.
für akustische Oberflächenwellen (SAW), mikroelektromechanische Systeme (MEMS) und Verpackungsanwendungen. In dieser Arbeit ist AlN die kritische Schicht im Herstellungsprozess. Eine Herausforderung ist die zuverlässige Abscheidung auf Substraten in Wafergröße.
Das Verfahren, das für die Abscheidung in Frage kommt, ist das gepulste DC-Sputtern.
Die (002)-Ebene ist die gewünschte Ebene für die piezoelektrischen Eigenschaften. Die Oberflächenrauhigkeit des abgeschiedenen AlN ist gering und haftet gut auf dem Substrat.
Eine AlN-Schicht wurde auf einem UNCD/Si-Substrat abgeschieden. Auf der AlN-Schicht wurde Al abgeschieden, um die IDTs (interdigitale Wandler) für SAW-Bauelemente zu bilden. Die SAW-Bauelemente wurden auf einem Quarz-ST-Substrat hergestellt.
Um die Funktion der SAW-Bauelemente zu überprüfen, wurden sie mit einem Netzwerkanalysator getestet. In diesem Buch werden diese Ergebnisse und die Parameter für die AlN-Schichtabscheidung, die Schichteigenschaften und die Auswirkungen auf die Bauelemente erörtert. Dieses Buch ist für Fachleute, Wissenschaftler, Ingenieure und Studenten der Natur- und Ingenieurwissenschaften von Nutzen, die sich mit Halbleitern mit breiter Bandlücke, Nitriden und piezoelektrischen Materialien sowie verschiedenen akustischen Wellengeräten beschäftigen.
| ISBN: | 9783836469722 |
| Autor: | |
| Verlag: | |
| Sprache: | Englisch |
| Einband: | Taschenbuch |
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