Originaltitel:
Wide Bandgap Based Devices: Design, Fabrication and Applications
Inhalt des Buches:
Die aufkommenden Halbleiter mit breiter Bandlücke (WBG) haben das Potenzial, die globale Industrie in der gleichen Weise voranzubringen, wie vor mehr als 50 Jahren die Erfindung des Siliziumchips das moderne Computerzeitalter ermöglichte. Bauelemente auf SiC- und GaN-Basis sind allmählich auf dem Markt erhältlich.
Diese WBG-Bauteile sind kleiner, schneller und leistungsfähiger als ihre Gegenstücke auf Si-Basis und bieten auch unter härteren Betriebsbedingungen eine höhere Zuverlässigkeit. Darüber hinaus wurde eine neue Klasse von mikroelektronischen Halbleitermaterialien entwickelt, die eine noch größere Bandlücke aufweisen als die bereits etablierten Halbleiter mit breiter Bandlücke, wie GaN und SiC, und die daher als "Materialien mit ultrabreiter Bandlücke" bezeichnet werden. Diese Materialien, zu denen AlGaN, AlN, Diamant, Ga2O3 und BN gehören, bieten theoretisch überlegene Eigenschaften, darunter ein höheres kritisches Durchbruchsfeld, einen Betrieb bei höheren Temperaturen und eine potenziell höhere Strahlungstoleranz.
Diese Eigenschaften wiederum ermöglichen den Einsatz revolutionärer neuer Bauelemente für extreme Umgebungen, wie z. B.
hocheffiziente Leistungstransistoren aufgrund der verbesserten Baliga-Leistungszahl, gepulste Ultrahochspannungsschalter, hocheffiziente UV-LEDs und Elektronik. In dieser Sonderausgabe werden hochwertige Forschungsarbeiten, Kurzmitteilungen und Übersichtsartikel gesammelt, die sich mit dem Entwurf, der Herstellung und der fortgeschrittenen Charakterisierung von Bauelementen mit großem Bandabstand befassen.
In der Sonderausgabe werden auch ausgewählte Beiträge des 43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2019) veröffentlicht, der in Frankreich stattfand und an dem Wissenschaftler und Ingenieure teilnahmen, die auf dem Gebiet der III-V- und anderer Verbindungshalbleiter-Bauelemente und integrierter Schaltungen arbeiten. Insbesondere werden die folgenden Themen behandelt: - GaN- und SiC-basierte Bauelemente für Leistungs- und optoelektronische Anwendungen - Ga2O3-Substratentwicklung und Ga2O3-Dünnschichtwachstum, Dotierung und Bauelemente - AlN-basierte neue Materialien und Bauelemente - BN-Epitaxiewachstum, Charakterisierung und Bauelemente.
Weitere Daten des Buches:
| ISBN: | 9783036505664 |
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| Verlag: | |
| Einband: | Hardcover |
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