
Bsim4 and Mosfet Modeling for IC Simulation
Dieses Buch stellt die Kunst der fortgeschrittenen MOSFET-Modellierung für die Simulation und den Entwurf integrierter Schaltungen vor. Es liefert die wesentlichen mathematischen und physikalischen Analysen aller elektrischen, mechanischen und thermischen Effekte in MOS-Transistoren, die für den Betrieb integrierter Schaltungen relevant sind.
Besonderer Wert wird darauf gelegt, wie sich das BSIM-Modell zum ersten SPICE-MOSFET-Modell nach Industriestandard für die Schaltungssimulation und die CMOS-Technologieentwicklung entwickelt hat. Es wird die Theorie und Methodik erörtert, wie ein MOSFET-Modell bzw.
Halbleiterbauelementmodelle im Allgemeinen so implementiert werden können, dass sie robust und effizient sind und die Theorie der Bauelementphysik in ein produktionstaugliches SPICE-Simulationsmodell umgesetzt wird. Besonderes Augenmerk wird auf die Charakterisierung von MOSFETs und die Methoden zur Extraktion von Modellparametern gelegt, so dass das Buch besonders für diejenigen nützlich ist, die sich für Arbeiten in den Bereichen Halbleiterbauelemente, kompakte Modellierung für SPICE-Simulationen und Entwurf integrierter Schaltungen interessieren oder bereits damit beschäftigt sind.