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Originaltitel:
Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices
Inhalt des Buches:
Das Herzstück moderner Leistungselektronik-Wandler sind Leistungshalbleiter-Schaltgeräte. Das Aufkommen von Halbleiterbauelementen mit breiter Bandlücke (Wide Bandgap, WBG), darunter Siliziumkarbid und Galliumnitrid, verspricht leistungselektronische Wandler mit höherem Wirkungsgrad, geringerer Größe, geringerem Gewicht und niedrigeren Kosten als Wandler, die die etablierten siliziumbasierten Bauelemente verwenden. WBG-Bauelemente stellen jedoch neue Herausforderungen für das Design von Wandlern dar und erfordern eine sorgfältigere Charakterisierung, insbesondere aufgrund ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und der strengeren Schutzanforderungen.
Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices stellt umfassende Methoden mit Beispielen für die Charakterisierung dieser wichtigen Klasse von Leistungsbauelementen vor. Nach einer Einführung befasst sich das Buch mit der gepulsten statischen Charakterisierung, der Charakterisierung der Sperrschichtkapazität, den Grundlagen der dynamischen Charakterisierung, der Gate-Ansteuerung für die dynamische Charakterisierung, dem Layout-Design und dem Management von Parasiten, dem Schutzdesign für die Doppelpulsprüfung, der Messung und Datenverarbeitung für die dynamische Charakterisierung, der Berücksichtigung des Übersprechens, den Auswirkungen des Dreiphasensystems und den Überlegungen zur Topologie.
Dieses Buch richtet sich an Forscher und Ingenieure, die an der Entwicklung von WBG-basierten Leistungselektronikprodukten und -technologien beteiligt sind. Es richtet sich auch an Studenten und Ingenieure in der Praxis, die sich mit der Entwicklung von WBG-Bauelementen, dem Packaging von Leistungselektronik und der Entwicklung von Technologien für elektrische Messungen und Instrumentierung befassen.
Weitere Daten des Buches:
| ISBN: | 9781785614910 |
| Autor: | |
| Verlag: | |
| Einband: | Hardcover |
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