Chemical Mechanical Polishing Optimization for 4H-Sic
Für Substrate, die für das epitaktische Wachstum verwendet werden, sind kratzfreie Oberflächen erforderlich. Siliziumkarbid (SiC) ist ein Substratmaterial, das für das Epitaxiewachstum von elektronischen Bauelementen aus SiC, GaN und InGaN verwendet wird.
Vorläufige Untersuchungen zum chemisch-mechanischen Polieren (CMP) von 1 3/8"-4H-SiC-Wafern wurden durchgeführt, um die Polierparameterwerte zu ermitteln, die zu einer maximalen Materialabtragsrate führen und somit die Polierzeit des Substrats reduzieren. Frühere Studien berichteten über erhöhte Materialabtragsraten bei steigender Poliertemperatur, pH-Wert der Aufschlämmung, Druck und Geschwindigkeit des Polierpads. In der aktuellen Studie wurden die Auswirkungen von Temperatur, pH-Wert der Aufschlämmung, Polierdruck und Polierkissengeschwindigkeit unabhängig voneinander untersucht, während die anderen Polierparameter konstant gehalten wurden.
Die Materialabtragsraten wurden durch Messungen der Wafermasse vor und nach dem Polieren bestimmt. Vor und nach jeder Polierperiode wurden Fotos an bestimmten Waferpositionen aufgenommen und mit den berechneten Abtragsraten verglichen.
| ISBN: | 9781288282593 |
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| Sprache: | Englisch |
| Einband: | Taschenbuch |
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