Design of GaN-based components and application to high-power antenna
Diese Arbeit demonstriert die Machbarkeit des Einsatzes von Galliumnitrid (GaN)-Technologie in rekonfigurierbaren RF-Systemen.
GaN-basierte Varactor-Dioden und Schaltkreise werden als vielversprechende Kandidaten für Hochleistungs-/Hochfrequenzanwendungen untersucht. Der erste Teil ist der Entwicklung aktiver GaN-Bauelemente gewidmet.
Aktive Komponenten wurden mit dem GaN-HEMT-Prozess des kanadischen National Research Council (NRC) realisiert. Basierend auf drei Prozessen, wie GaN150v0 (Gate-Länge von 0,15um), GaN500v1 und GaN500v2 (beide mit einer Gate-Länge von 0,5um), wurden viele Varactor-Dioden mit unterschiedlichen Größen hergestellt und durch DC- und RF-Kleinsignal- und Großsignalmessungen charakterisiert. Anschließend wurden die Varactor-Dioden durch analytische Gleichungen mit empirischen Koeffizienten modelliert.
Diese Ausdrücke wurden zum ersten Mal für die Spannungsabhängigkeit der Äquivalentkapazität (CEq) und des Serienwiderstands (REq) eingeführt und können als allgemeines Modell zur Darstellung des nichtlinearen Verhaltens von GaN-basierten Varaktoren verwendet werden. Für den Kleinsignalbetrieb sind alle entwickelten Gleichungen, die REq und CEq beschreiben, nur von der Vorspannung und der Bauteilgeometrie abhängig.
| ISBN: | 9786202268110 |
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| Sprache: | Englisch |
| Einband: | Taschenbuch |
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