Disruptive Wide Bandgap Semiconductors, Related Technologies, and Their Applications
SiC- und GaN-Bauelemente gibt es schon seit einiger Zeit. Die erste internationale Konferenz über SiC und verwandte Bauelemente, „ICSCRM“, fand 1987 in Washington, DC, statt.
Aber erst seit kurzem werden SiC- und GaN-Bauelemente kommerziell genutzt. Aufgrund seiner Materialeigenschaften stößt Si als Halbleiter bei hohen Temperaturen, hohen Spannungen und hohen Frequenzen an seine Grenzen. Mit Hilfe von SiC- und GaN-Bauelementen ist es möglich, effizientere Leistungssysteme zu realisieren.
Aus SiC und GaN hergestellte Bauelemente haben sich bereits in verschiedenen Bereichen durch ihre Fähigkeit, Si-Bauelemente zu übertreffen, bemerkbar gemacht. Einige Beispiele sind die Telekommunikations-, Automobil-/Lokomotiv-, Energie- und erneuerbare Energieindustrie.
Um die von verschiedenen Ländern gesetzten Kohlenstoffemissionsziele zu erreichen, ist der Einsatz dieser neuen Technologien unumgänglich. In diesem Buch wird versucht, alle wichtigen Aspekte der Halbleitertechnologie mit breiter Bandlücke zu behandeln, einschließlich der neuen Herausforderungen, die sich daraus ergeben.
Dieses Buch richtet sich an Studenten, Forscher, Ingenieure und Technologieexperten, die in den spannenden Bereichen der SiC- und GaN-Leistungsbauelemente arbeiten.
| ISBN: | 9781789236682 |
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| Sprache: | Englisch |
| Einband: | Hardcover |
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