
Electrical and Thermal Characterization of MESFETs, HEMTs and HBTs
Diese Arbeit bietet eine umfassende Diskussion der Vorspannungsabhängigkeit der Ersatzschaltkreisparameter für die drei Bauelemente und eine ausführliche Diskussion der Temperaturabhängigkeit.
Es umfasst: recess-etched MESFETs und selbstausgerichtete MESFETs mit und ohne leicht dotierte Drains und JFETs, analysiert GaAs-basierte pHEMTS und InP gitterangepasste HEMT-Ersatzschaltungen und beschreibt einen temperaturabhängigen Großsignal-Modellextraktor für A1GaAs-GaAs HBTs. Das Buch richtet sich an Schaltungsdesigner, Prozess- und Bauelemententwickler sowie Testingenieure.