
Design of LNA using 0.18 um CMOS Technology for Receiver Front End
Als eigenständige Schaltung im Empfänger-Frontend benötigt der LNA eine hohe Verstärkung und ein geringes Rauschen. Diese Arbeit umfasst die Simulationsergebnisse für die differenzielle Topologie und auch die verbesserte Schaltung.
Die Arbeit wird für den Frequenzbereich von 2,45 GHz - 2,85 GHz mit einer zentralen Frequenz von 2,65 GHz durchgeführt. Diese Arbeit demonstriert auch die Notwendigkeit eines On-Chip-Induktions- und Kondensator-Designs, da diese eine sehr große Siliziumfläche einnehmen. Die abschließenden Simulationsergebnisse zeigen, dass eine ausreichende Verstärkung erreicht wird, da sie die Rauschzahl der nachfolgenden Schaltungen im Receiver Front End reduziert.
Neben der Spannungs- und Leistungsverstärkung wurden auch Simulationen für GA, Gt usw. durchgeführt, was das Design qualifiziert.
Die Auswirkungen der Designparameter Lg und Ld auf das Rauschen bzw. Gian wurden ebenfalls aufgezeigt.
Am Ende ist ein detailliertes Layout der Induktivität enthalten, um zu zeigen, wie viel Siliziumfläche sie beansprucht. Zukünftige Arbeiten umfassen daher das Design von On-Chip-Induktoren und Kondensatoren.