Originaltitel:
Advanced Ultra Low-Power Semiconductor Devices: Design and Applications
Inhalt des Buches:
FORTGESCHRITTENE ULTRA-LOW-POWER-HALBLEITERBAUELEMENTE
Dieser wichtige neue Band, der von einem Expertenteam auf diesem Gebiet geschrieben und herausgegeben wurde, befasst sich umfassend mit dem Design und den Anwendungen von Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren.
Dieser herausragende neue Band bietet einen umfassenden Überblick über hochmoderne Halbleiterbauelemente, die auf Anwendungen mit sehr niedrigem Stromverbrauch zugeschnitten sind. Diese Bauelemente, die die Grundlage für elektronische Geräte bilden, spielen eine zentrale Rolle bei der Gestaltung der Elektroniklandschaft. Mit dem Schwerpunkt auf neu entstehenden elektronischen Bauelementen mit geringem Stromverbrauch und deren Anwendung in Bereichen wie drahtlose Kommunikation, Biosensorik und Schaltungen stellt dieses Buch eine unschätzbare Ressource für das Verständnis dieses dynamischen Bereichs dar.
Das Buch bringt Experten und Forscher aus verschiedenen Bereichen der VLSI-Domäne zusammen und befasst sich mit den Herausforderungen, die fortschrittliche stromsparende Geräte mit sich bringen. Ziel dieser Zusammenarbeit ist es, technische Innovationen voranzutreiben und die praktische Umsetzung dieser Technologien zu verfeinern. Spezielle Kapitel befassen sich mit komplizierten Themen wie Tunnel-FET, FET-Schaltungen mit negativer Kapazität und fortschrittlichen FETs, die für verschiedene Schaltungsanwendungen maßgeschneidert sind.
Über die bauelementebezogenen Diskussionen hinaus befasst sich das Buch mit den Design-Feinheiten von stromsparenden Speichersystemen, dem faszinierenden Bereich des neuromorphen Computings und dem zentralen Thema der thermischen Zuverlässigkeit. Die Autoren bieten eine solide Grundlage in der Bauteilphysik und Schaltungstechnik und erforschen gleichzeitig neue Materialien und Architekturen wie Transistoren, die auf bahnbrechenden Kanal- und dielektrischen Materialien basieren. Diese Erforschung wird von der Notwendigkeit angetrieben, sowohl einen minimalen Stromverbrauch als auch ultraschnelle Schaltgeschwindigkeiten zu erreichen, um die unerbittlichen Anforderungen der Halbleiterindustrie zu erfüllen. Der Umfang des Buches umfasst Konzepte wie MOSFET, FinFET, GAA MOSFET, die 5-nm- und 7-nm-Technologieknoten, NCFET, ferroelektrische Materialien, Unterschwellenschwingung, High-k-Materialien sowie fortschrittliche und neu entstehende Materialien, die für die Zukunft der Halbleiterindustrie von zentraler Bedeutung sind.
Weitere Daten des Buches:
| ISBN: | 9781394166411 |
| Autor: | |
| Verlag: | |
| Sprache: | Englisch |
| Einband: | Hardcover |
| Erscheinungsjahr: | 2023 |
| Seitenzahl: | 320 |
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