
Gallium Nitride and Related Materials II: Volume 468
Dieses Buch des MRS ist den III-Nitriden gewidmet und konzentriert sich auf die Entwicklungen bei AlN, GaN, InN und ihren Legierungen, die jetzt in Lasern mit kurzer Wellenlänge (400 nm, cw bei Raumtemperatur) und in der Hochleistungselektronik (2,8 W/mm bei GHz) Anwendung finden.
Experten aus Bereichen wie Kristallzüchtung, Theorie der kondensierten Materie, Quellenchemie, Bauelementeverarbeitung und Bauelementedesign kommen in diesem Band zusammen, um Fragen von wissenschaftlicher und technologischer Relevanz zu behandeln. Ein Großteil des Buches befasst sich mit Fortschritten bei der Materialpräparation und dem Verständnis von Defektproblemen, aber auch mit ähnlichen Fortschritten bei der Material- und Bauelementeverarbeitung wird berichtet.
Zu den Themen gehören: Wachstum und Dotierung, Substrate und Substrateffekte, Charakterisierung, Verarbeitung sowie Leistung und Design von Bauelementen.