Originaltitel:
Interface Engineering in Organic Field-Effect Transistors
Inhalt des Buches:
Grenzflächentechnik in organischen Feldeffekttransistoren
Systematische Zusammenfassung der Fortschritte bei der Entwicklung effektiver Methoden der Grenzflächentechnik in organischen Feldeffekttransistoren, von Modellen bis zu experimentellen Techniken
Interface Engineering in Organic Field-Effect Transistors deckt den Stand der Technik bei organischen Feldeffekttransistoren ab und gibt einen Überblick über den Ladungstransport an den Grenzflächen, Bauelementekonzepte und Bauelementeherstellungsprozesse sowie einen Ausblick auf die Entwicklung zukünftiger optoelektronischer Bauelemente.
Das Buch beginnt mit einem Überblick über die gängigen Methoden zur Herstellung verschiedener Halbleiter/Halbleiter-Grenzflächen und die Ladungstransportmechanismen an diesen heterogenen Grenzflächen. Anschließend werden die Modifikationen an den Halbleiter/Elektroden-Grenzflächen behandelt, durch die die Arbeitsfunktion der Elektroden eingestellt und die Mechanismen der Ladungsinjektion an den Grenzflächen aufgezeigt werden können.
Die Physik des Ladungstransports an der Grenzfläche zwischen Halbleiter und Dielektrikum wird ausführlich erörtert. Das Buch beschreibt die bemerkenswerte Wirkung der SAM-Modifikation auf die Morphologie des Halbleiterfilms und damit auf die elektrische Leistung. Insbesondere werden wertvolle Analysen der Technik des Ladungseinfangens und -abfangens an der Grenzfläche zur Realisierung neuer Funktionen zusammengefasst.
Schließlich werden die Sensormechanismen, die an den Halbleiter/Umwelt-Grenzflächen von OFETs auftreten, und die einzigartigen Detektionsmethoden, die eine Schnittstelle zwischen organischer Elektronik und Biologie bilden können, diskutiert.
Spezifische Themenbeispiele, die in Interface Engineering in Organic Field-Effect Transistors behandelt werden, umfassen: Nichtkovalente Modifizierungsmethoden, Ladungseinfügungsschicht an der Elektrodenoberfläche, dielektrische Oberflächenpassivierungsmethoden und kovalente Modifizierungsmethoden Mechanismus des Ladungstransports in Volumenhalbleitern, Einfluss von Additiven auf Keimbildung und Morphologie der Materialien, Lösungsmittelzusätze und Keimbildungsmittel Nanokonfinement-Effekt, Leistungssteigerung durch Halbleiter-Heteroübergänge, planare Doppelschicht-Heterostruktur, ambipolarer Ladungstransferkomplex und supramolekulare Anordnung von Heteroübergängen Dielektrischer Effekt in OFETs, dielektrische Modifikation zur Abstimmung der Halbleitermorphologie, Kontrolle der Oberflächenenergie, Mikrostrukturdesign, Lösungsscheren, Beseitigung von Grenzflächenfallen und SAM/SiO2-Dielektrika
Interface Engineering in Organic Field-Effect Transistors ist ein aktuelles Werk, das die neuesten Entwicklungen auf diesem Gebiet vorstellt und neue Erkenntnisse für den Aufbau zuverlässiger organischer elektronischer Bauelemente hervorhebt. Es ist unverzichtbar für Forscher, Wissenschaftler und andere Fachleute, die sich mit Schnittstellen in den Bereichen organische Elektronik, Nanoelektronik, Oberflächenwissenschaft, Solarzellen und Sensoren beschäftigen.
Weitere Daten des Buches:
| ISBN: | 9783527351459 |
| Autor: | |
| Verlag: | |
| Sprache: | Englisch |
| Einband: | Hardcover |
| Erscheinungsjahr: | 2023 |
| Seitenzahl: | 272 |
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