Grundlagen der RF- und Mikrowellen-Transistor-Verstärker

Bewertung:   (4,3 von 5)

Grundlagen der RF- und Mikrowellen-Transistor-Verstärker (Inder Bahl)

Leserbewertungen

Zusammenfassung:

Das Buch wird für seine umfassende Darstellung des Designs von HF- und Mikrowellenverstärkern gelobt, die sowohl für Anfänger als auch für erfahrene Ingenieure geeignet ist. Es wird jedoch als etwas veraltet angesehen, insbesondere was die Behandlung neuerer Leistungsverstärkertechnologien betrifft.

Vorteile:

Deckt ein breites Spektrum an Themen des Verstärkerentwurfs ab, von den Grundlagen bis hin zu fortgeschrittenem Material.
Bietet praktische Anwendungen und viele praktische Beispiele.
Präsentiert Material, das zugänglich ist, ohne übermäßig vereinfachend oder mathematisch extrem streng zu sein.
Dient als solides Nachschlagewerk für das HF- und Mikrowellendesign.

Nachteile:

Einige Formeln werden ohne Beweise dargestellt, was das Verständnis erschweren kann.
Das Buch ist veraltet und konzentriert sich stark auf GaAs-Bauelemente, während GaN und neuere Technologien nicht behandelt werden.
Bestimmte Abschnitte sind schwer nachzuvollziehen oder zu überprüfen, was den Leser verwirren könnte.

(basierend auf 7 Leserbewertungen)

Originaltitel:

Fundamentals of RF and Microwave Transistor Amplifiers

Inhalt des Buches:

Umfassende Konstruktionsinformationen in Form von Gleichungen, Tabellen, Diagrammen und Beispielen.

Bietet eine eingehende Untersuchung von Verstärkern. Einfache Konstruktionsgleichungen helfen, Konstruktionskonzepte zu verstehen.

Praktische und einfach zu verstehende Beispiele mit über 70 vollständig gelösten Aufgaben.

Weitere Daten des Buches:

ISBN:9780470391662
Autor:
Verlag:
Sprache:Englisch
Einband:Hardcover
Erscheinungsjahr:2009
Seitenzahl:696

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Letzte Änderung: 2024.11.13 22:11 (GMT)