Miniaturized Silicon Photodetectors: New Perspectives and Applications
Silizium (Si)-Technologien bieten eine hervorragende Plattform für die Entwicklung von Mikrosystemen, bei denen photonische und mikroelektronische Funktionen monolithisch auf demselben Substrat integriert sind. In den letzten Jahren wurde eine Vielzahl passiver und aktiver photonischer Bauelemente aus Silizium entwickelt, von denen Photodetektoren das besondere Interesse der wissenschaftlichen Gemeinschaft auf sich gezogen haben.
Si-Photodioden sind in der Regel für den Betrieb bei sichtbaren Wellenlängen ausgelegt, doch leider ist ihr Einsatz im Infrarotbereich (IR) aufgrund der vernachlässigbaren Si-Absorption über 1100 nm begrenzt, obwohl die Verwendung von auf Si gewachsenem Germanium (Ge) in der Vergangenheit eine Ausweitung des Betriebs bis zu 1550 nm ermöglicht hat. In den letzten Jahren wurden erhebliche Fortschritte erzielt, indem sowohl die Leistung von Si-basierten Photodetektoren im sichtbaren Bereich verbessert als auch ihr Betrieb auf Infrarot-Wellenlängen ausgedehnt wurde. Für SiGe-Photodetektoren im nahen Infrarot (NIR) wurde ein CMOS-Prozessablauf ohne Änderungen nachgewiesen, während die Untersuchung neuer Effekte und Strukturen gezeigt hat, dass ein reiner Si-Ansatz eine praktikable Option sein könnte, um mit der Ge-Technologie vergleichbare Bauelemente zu konstruieren.
Darüber hinaus hat die Fähigkeit, neue 2D- und 3D-Materialien in Si zu integrieren, zusammen mit der Möglichkeit, Bauelemente im Nanomaßstab herzustellen, zur Entwicklung neuer Bauelementfamilien mit unerwarteter Leistung geführt. Dementsprechend möchte diese Sonderausgabe von Micromachines Forschungsarbeiten, Kurzmitteilungen und Übersichtsartikel vorstellen, die die jüngsten Fortschritte auf dem Gebiet der Silizium-Photodetektoren und ihrer jeweiligen Anwendungen zeigen.
| ISBN: | 9783036500447 |
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| Einband: | Hardcover |
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