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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs
Dieses Buch ist eine umfassende Darstellung der FET-Modellierung und ein unverzichtbares Hilfsmittel für erfahrene Fachleute und neue Absolventen im Bereich der Entwicklung und Modellierung von HF- und Mikrowellen-Leistungsverstärkern.
Es enthält Beschreibungen von Charakterisierungs- und Messtechniken, Analysemethoden, Simulatorimplementierung, Modellverifizierung und Validierungsverfahren, die erforderlich sind, um ein Transistormodell zu erstellen, das vom Schaltungsdesigner zuverlässig verwendet werden kann. Dieses Buch wurde von Fachleuten aus der Halbleiterindustrie mit langjähriger Erfahrung in der Modellierung von Bauelementen in LDMOS- und III-V-Technologien geschrieben und war das erste, das sich mit den spezifischen Anforderungen an die Modellierung von Hochleistungs-HF-Transistoren befasste.
Es wird ein technologieunabhängiger Ansatz beschrieben, der thermische Effekte, Skalierungsprobleme, nichtlineare Modellierung und In-Package-Anpassungsnetzwerke berücksichtigt. Diese werden anhand der derzeit marktführenden Hochleistungs-HF-Technologie, LDMOS, sowie anhand von III-V-Leistungsbauelementen erläutert.
| ISBN: | 9780521870665 |
| Autor: | |
| Verlag: | |
| Sprache: | Englisch |
| Einband: | Hardcover |
| Erscheinungsjahr: | 2007 |
| Seitenzahl: | 380 |
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