Non-Boolean Computing with Spintronic Devices
Einer der vielversprechendsten aufkommenden nichtflüchtigen Speicher ist der magnetische Tunnelübergang (MTJ); dabei handelt es sich um ein Spintronik-Element, bei dem sowohl elektronische Ladung als auch Spin zur Speicherung und Manipulation digitaler Informationen verwendet werden. Viele Unternehmen haben diese Technologie als universellen Speicher für eingebettete RAM-, DRAM- und Speicherklassen vorgeschlagen, vor allem wegen ihrer Eigenschaften wie Nichtflüchtigkeit, extrem niedriger Stromverbrauch, hohe Lebensdauer, Strahlungshärte usw.
Aber auch der immer beliebter werdende datenzentrierte Ansatz zur Lösung nicht-boolescher Probleme, der oft als "In-Memory-Computing" bezeichnet wird, kann von der Nutzung dieser Art von Geräten profitieren. Non-Boolean Computing with Spintronic Devices erforscht die neuesten Forschungsgebiete, die spintronische Bauelemente für Non-Boolean Computing-Zwecke einsetzen. Aufgrund der physikalischen Grenzen herkömmlicher Rechenverfahren haben sich die Forscher auf unkonventionelle Lösungsparadigmen wie neuronale Netze, assoziative Speicher, neuromorphes Rechnen usw.
konzentriert. In dieser Monographie wird auch ein neuartiger Mechanismus zur Lösung rechenintensiver binärer quadratischer Optimierungsprobleme mit Hilfe eines Energieminimierungsrahmens von Nanomagneten vorgestellt.
Diese Hardware-Plattform eröffnet die Möglichkeit, energieeffiziente Prozessoren wie das Ising-Modell und den Bayes'schen Inferenz-Koprozessor zu entwickeln. Der technologische Reifegrad spintronischer Bauelemente ist jedoch noch nicht ausgereift, so dass die Forschung zu den auf diesen Bauelementen basierenden Rechenstrukturen nicht statisch, sondern eher dynamisch ist.
Diese Monographie gibt einen Überblick über die bisherige Forschung und ist ein ideales Nachschlagewerk für alle, die sich für die Entwicklung dieses Bereichs interessieren.
| ISBN: | 9781680833621 |
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| Sprache: | Englisch |
| Einband: | Taschenbuch |
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