Point defects in group IV semiconductors: common structural and physico-chemical aspects
Ein selbstkonsistentes, mikroskopisches Modell individueller und reaktiver Punktdefekte erfordert eine zuverlässige Verbindung mit den experimentell abgeleiteten strukturellen, spektroskopischen und thermodynamischen Eigenschaften der Defektzentren, um deren eindeutige Identifizierung zu ermöglichen.
Ziel dieses Buches ist es, sich auf die Eigenschaften von Defekten in Halbleitern der vierten Gruppe unter einem physikalisch-chemischen Ansatz zu konzentrieren und zu zeigen, ob die volle Anerkennung ihrer chemischen Natur einige in der Praxis auftretende Probleme erklären oder weitere experimentelle oder theoretische Errungenschaften vorschlagen könnte.
Es wird gezeigt, wie schwierig die Erfüllung der Bedingungen für die Selbstkonsistenz auch heute noch, nach mehr als vier Jahrzehnten engagierter Forschungsarbeit, sein kann, insbesondere im Fall von Verbindungshalbleitern (SiC in diesem Buch), aber auch in den scheinbar einfachsten Fällen von Silizium und Germanium, auch weil mikroskopische Modelle die Defektwechselwirkungen in realen Festkörpern nicht berücksichtigen.
| ISBN: | 9781945291227 |
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| Sprache: | Englisch |
| Einband: | Taschenbuch |
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