
Qualitative Analysis of Hydrodynamical Models of Charge Transport in Semiconductors
In den letzten Jahrzehnten hat sich die mathematische Simulation physikalischer Phänomene in Halbleiterbauelementen zu einem aktuellen und sich rasch entwickelnden Bereich der angewandten Mathematik entwickelt.
Die Fortschritte in der Mikroelektronik ermöglichen den Bau von Halbleiterbauelementen mit extrem kleinen Abmessungen, so dass vereinfachte analytische Modelle für die Analyse und den Entwurf moderner Halbleiterbauelemente kaum noch verwendet werden können. Der Grund dafür ist, dass traditionelle vereinfachende Annahmen, die den Hintergrund solcher Modelle bilden, in modernen Komponenten von Integralschemata wesentlich gebrochen werden können.
In diesem Buch wird die Dynamik dieses Prozesses erörtert.