Bewertung:
Das Buch wird für Studenten der Halbleiterphysik empfohlen und bietet ausführliche Diskussionen über SiGe-HBTs, Rauschen, Linearität und Themen auf Schaltungsebene. Es ist jedoch möglicherweise nicht für Schaltungsentwickler geeignet, die andere Ansätze für die Analyse von Nichtlinearitäten bevorzugen.
Vorteile:Ausführliche Behandlung der Halbleiterphysik, maßgebliche Informationen über SiGe-HBTs, detaillierte Diskussion über Rauschen und Linearität, praktische Messtechniken, geeignet für Studenten und Ingenieure der Oberstufe.
Nachteile:Nicht geeignet für Schaltungsentwickler, die die Volterra-Reihe zur Analyse von Nichtlinearitäten nicht mögen, nicht ausreichend lang für eine umfassende Behandlung.
(basierend auf 2 Leserbewertungen)
Silicon-Germanium Heterojunction Bipola
Dieses Buch bietet Ingenieuren eine umfassende Behandlung von Silizium-Germanium-Heteroübergang-Bipolartransistoren (SiGe HBT), einer Halbleitertechnologie, die die Kommunikationsindustrie revolutionieren soll, indem sie kostengünstige Hochgeschwindigkeitslösungen für neue Kommunikationsanforderungen bietet.
Es bietet Praktikern und Studenten ein umfassendes Verständnis der SiGe-HBT-Bauelemente und -Technologie aus einer sehr breiten Perspektive. Der Text behandelt die Motivation, die Geschichte, die Materialien, die Herstellung, die Physik der Bauelemente, die Funktionsprinzipien und die Eigenschaften auf Schaltungsebene im Zusammenhang mit SiGe.
Dieses Nachschlagewerk erklärt, wie man einen SiGe-HBT entwirft, simuliert, herstellt und misst, und bietet ein Verständnis für die Optimierungsprobleme und Designkompromisse von SiGe-HBTs und HF-/Mikrowellenschaltungen, die mit dieser neuen Technologie gebaut werden.
| ISBN: | 9781580533614 |
| Autor: | |
| Verlag: | |
| Sprache: | Englisch |
| Einband: | Hardcover |
Derzeit verfügbar, auf Lager.
