Originaltitel:
Silicon-Germanium (Sige) Nanostructures: Production, Properties and Applications in Electronics
Inhalt des Buches:
Nanostrukturiertes Silizium-Germanium (SiGe) eröffnet die Aussicht auf neuartige und verbesserte Leistungen elektronischer Geräte, insbesondere für Halbleiterbauelemente. Silizium-Germanium (SiGe)-Nanostrukturen gibt einen Überblick über die Materialwissenschaft von Nanostrukturen und deren Eigenschaften und Anwendungen in verschiedenen elektronischen Geräten.
Der einleitende erste Teil befasst sich mit den strukturellen Eigenschaften von SiGe-Nanostrukturen, wobei ein weiteres Kapitel die elektronischen Bandstrukturen von SiGe-Legierungen behandelt. Der zweite Teil konzentriert sich auf die Bildung von SiGe-Nanostrukturen, mit Kapiteln über verschiedene Methoden des Kristallwachstums wie Molekularstrahlepitaxie und chemische Gasphasenabscheidung. Dieser Teil enthält auch Kapitel über Dehnungstechnik und Modellierung. Teil drei befasst sich mit den Materialeigenschaften von SiGe-Nanostrukturen, einschließlich Kapiteln zu Themen wie dehnungsinduzierte Defekte, Transporteigenschaften und Mikrokavitäten sowie Quantenkaskadenlaserstrukturen. Im vierten Teil werden Bauelemente aus SiGe-Legierungen behandelt. Die Kapitel befassen sich mit integrierten Anwendungen im Ultra-Großmaßstab, MOSFETs und der Verwendung von SiGe in verschiedenen Arten von Transistoren und optischen Geräten.
Mit seinen angesehenen Herausgebern und einem Team internationaler Autoren ist Silizium-Germanium (SiGe)-Nanostrukturen ein Standardwerk für Forscher, die sich mit Halbleiterbauelementen und -materialien in Industrie und Wissenschaft beschäftigen, insbesondere für diejenigen, die an Nanostrukturen interessiert sind.
⬤ Gibt einen Überblick über die Materialwissenschaft von Nanostrukturen, ihre Eigenschaften und Anwendungen in verschiedenen elektronischen Geräten.
⬤ Untersucht die strukturellen Eigenschaften von SiGe-Nanostrukturen und diskutiert die elektronischen Bandstrukturen von SiGe-Legierungen.
⬤ Erforscht die Bildung von SiGe-Nanostrukturen mit verschiedenen Methoden des Kristallwachstums wie Molekularstrahlepitaxie und chemische Gasphasenabscheidung.
Weitere Daten des Buches:
| ISBN: | 9780081017395 |
| Autor: | |
| Verlag: | |
| Sprache: | Englisch |
| Einband: | Taschenbuch |
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