Silicon Carbide: Materials, Processing and Applications in Electronic Devices
Siliziumkarbid (SiC) und seine Polytypen, die vor allem zum Schleifen und für Hochtemperaturkeramik verwendet werden, sind seit langem ein Teil der menschlichen Zivilisation. Die inhärente Fähigkeit von SiC-Bauelementen, bei hohen Temperaturen und unter hohen Spannungen mit höherer Effizienz und geringerem ökologischen Fußabdruck als Silizium-basierte Bauelemente zu arbeiten, treibt SiC an den Rand, das Material der Wahl für Hochleistungselektronik und Optoelektronik zu werden.
Noch wichtiger ist, dass sich SiC als Vorlage für die Herstellung von Graphen und als Material für die nächste Generation von Halbleiterbauelementen mit einer Größe von weniger als 32 nm abzeichnet. Es wird daher immer deutlicher, dass SiC-Elektroniksysteme die neuen Energie- und Transporttechnologien des 21. Jahrhunderts dominieren werden.
In 21 Kapiteln des Buches wird besonderer Wert auf die Materialaspekte und deren Entwicklungen gelegt. Zu diesem Zweck befassen sich etwa 70 % des Buches mit der Theorie, dem Kristallwachstum, Defekten, Oberflächen- und Grenzflächeneigenschaften, der Charakterisierung und der Verarbeitung von SiC.
Die restlichen 30 % des Buches befassen sich mit den Aspekten elektronischer Bauelemente aus diesem Material. Insgesamt wird dieses Buch für SiC-Forscher in den nächsten Jahren ein wertvolles Nachschlagewerk sein.
Dieses Buch deckt in hervorragender Weise unser derzeitiges Verständnis von SiC als Halbleitermaterial in der Elektronik ab. Das Buch richtet sich in erster Linie an Studenten, Forscher, Material- und Chemieingenieure, Halbleiterhersteller und Fachleute, die sich für Siliziumkarbid und seine kontinuierliche Weiterentwicklung interessieren.
| ISBN: | 9789533079684 |
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| Verlag: | |
| Sprache: | Englisch |
| Einband: | Hardcover |
| Erscheinungsjahr: | 2011 |
| Seitenzahl: | 560 |
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