Radiation Effects in Silicon Carbide
Das Buch gibt einen Überblick über die nach Meinung des Autors interessantesten Veröffentlichungen, die sich mit Strahlungsdefekten in 6H-, 4H- und 3C-SiC bei Bestrahlung mit Elektronen, Neutronen und einigen Ionenarten befassen. Zu Beginn werden die elektrischen Parameter von SiC erörtert, die dieses Material für den Einsatz in der modernen Elektronik vielversprechend machen. Außerdem werden spezifische Merkmale der Kristallstruktur von SiC betrachtet. Es wird gezeigt, dass es bei der Untersuchung von Halbleitern mit breiter Bandlücke notwendig ist, die Temperaturabhängigkeit der Ladungsträgerentfernungsrate (ηe) zu berücksichtigen, die ein Standardparameter zur Bestimmung der Strahlungshärte von Halbleitern ist. Die ηe-Werte, die durch die Bestrahlung verschiedener SiC-Polytypen mit n- und p-Leitfähigkeit erhalten wurden, werden in Abhängigkeit von der Art und Energie der bestrahlenden Teilchen analysiert. Es werden die möglichen physikalischen Mechanismen der Kompensation des jeweiligen Materials betrachtet. Der Einfluss der Energie der geladenen Teilchen auf die Bildung von Strahlungsdefekten und die Kompensation der Leitfähigkeit in Halbleitern unter Bestrahlung wird analysiert.
Außerdem wird die Möglichkeit einer kontrollierten Umwandlung von Siliziumkarbid-Polytypen untersucht. Die Beteiligung von Strahlungsdefekten an strahlenden und nichtstrahlenden Rekombinationsprozessen in SiC wird analysiert.
Es werden auch Daten über die Verschlechterung bestimmter elektronischer SiC-Bauteile unter dem Einfluss von Strahlung vorgelegt, und es wird eine Schlussfolgerung hinsichtlich der Strahlungsbeständigkeit von SiC gezogen. Schließlich wird die Strahlungshärte von Bauelementen auf der Basis von Silizium und Siliziumkarbid verglichen.
| ISBN: | 9781945291104 |
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| Sprache: | Englisch |
| Einband: | Taschenbuch |
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