Engineered Particulate Systems for Chemical Mechanical Planarization
Das chemisch-mechanische Polieren (CMP) wird in der Mikroelektronikindustrie zur Planarisierung und Strukturierung von Metall- und Dielektrikumsschichten eingesetzt.
Die immer kleiner werdenden Bauteile und die Einführung neuer Materialien erfordern eine bessere Kontrolle des CMP, die durch die Untersuchung der chemischen und partikulären Eigenschaften der Aufschlämmung erreicht werden kann. In dieser Studie werden die Auswirkungen der Partikelgrößenverteilung und -stabilität des Slurrys auf die Wechselwirkungen zwischen Pad, Partikel und Oberfläche untersucht.
Die Auswirkungen von harten und weichen (vorübergehenden) Agglomeraten auf die Polierleistung werden quantifiziert. Zur Stabilisierung von Aufschlämmungen werden abstoßende Kraftbarrieren genutzt, die durch die selbstorganisierenden Tensidstrukturen an der Fest-Flüssig-Grenzfläche entstehen. Eine wichtige Erkenntnis dieser Arbeit ist, dass die Stabilisierung von Slurrys nicht nur durch die Kontrolle der Partikel-Partikel-Wechselwirkungen, sondern auch der Pad-Partikel-Substrat-Wechselwirkungen erreicht werden muss.
Durch die Untersuchung der Reibungskräfte, die für die Wechselwirkungen zwischen Teilchen und Substrat repräsentativ sind, werden wirksame Aufschlämmungsformulierungen entwickelt, wobei die Stabilität durch die Einführung einer angemessenen Abstoßung zwischen den Teilchen erreicht wird. Optimale Schlickereigenschaften werden untersucht, und es wird ein Kriterium für die Gestaltung von Schlickern entwickelt.
| ISBN: | 9783843363464 |
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| Sprache: | Englisch |
| Einband: | Taschenbuch |
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