Thermal Management of Gallium Nitride Electronics
Thermal Management of Gallium Nitride Electronics skizziert die technischen Ansätze der führenden Wissenschaftler, die Herausforderungen, denen sie sich gestellt haben, und die daraus resultierenden Fortschritte auf diesem Gebiet. Dieses Buch ist ein umfassendes Nachschlagewerk für Forscher von Verbindungshalbleiter-Bauelementen, die mit der Lösung dieser technischen Herausforderung für zukünftige Materialsysteme auf der Grundlage von Halbleitern mit extrem breiter Bandlücke betraut sind.
Es enthält eine Reihe von Perspektiven, wie z. B. die Wachstumsmethoden von nanokristallinem Diamant, die Materialintegration von polykristallinem Diamant durch Wafer-Bonding und die neue Physik des Wärmetransports an heterogenen Grenzflächen.
In den letzten 10 Jahren haben die Autoren des Buches bahnbrechende Experimente zur Integration von Deckschichten aus nanokristallinem Diamant in den Herstellungsprozess von Verbindungshalbleiterbauelementen durchgeführt. Seitdem haben mehrere Gruppen bedeutende Forschungsanstrengungen zur Integration von Diamant und GaN unternommen, die zu aktiven Wärmemanagementoptionen geführt haben, die nicht notwendigerweise zu einer Leistungsminderung führen müssen, um eine Selbsterhitzung während des Hochfrequenz- oder Leistungsschaltbetriebs dieser Bauelemente zu vermeiden.
Die Selbsterhitzung bezieht sich auf die erhöhte Kanaltemperatur, die durch den erhöhten Energietransfer von Elektronen auf das Gitter bei hoher Leistung verursacht wird. Dieses Buch berichtet über diese Durchbrüche.
| ISBN: | 9780128210840 |
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| Sprache: | Englisch |
| Einband: | Taschenbuch |
| Erscheinungsjahr: | 2022 |
| Seitenzahl: | 560 |
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