Vollständig verarmtes Silizium-auf-Isolator: Nanobauteile, Mechanismen und Charakterisierung

Vollständig verarmtes Silizium-auf-Isolator: Nanobauteile, Mechanismen und Charakterisierung (Sorin Cristoloveanu)

Originaltitel:

Fully Depleted Silicon-On-Insulator: Nanodevices, Mechanisms and Characterization

Inhalt des Buches:

Fully Depleted Silicon-On-Insulator bietet eine eingehende Darstellung der grundlegenden und pragmatischen Konzepte dieser zunehmend wichtigen Technologie.

Auf dem Markt für moderne CMOS-Schaltungen gibt es zwei Haupttechnologien: FinFETs und vollständig verarmte Silicon-on-Insulators (FD-SOI). Letztere ist im Bereich der Schaltungen mit niedrigem Stromverbrauch, hoher Frequenz und Internet-of-Things (IOT) unangefochten. Das Thema ist auf Forschungs- und Entwicklungsebene hochaktuell. Im Vergleich zu bestehenden Büchern über SOI-Materialien und -Bauelemente deckt dieses Buch den FD-SOI-Bereich erschöpfend ab.

Fully Depleted Silicon-On-Insulator basiert auf dem Fachwissen von Dr. Sorin Cristoloveanu, einem IEEE Andrew Grove Award 2017 "For contributions to silicon-on-insulator technology and thin body devices", einer der bedeutendsten Persönlichkeiten der Branche. In dem Buch gibt er wichtige Einblicke in die technologischen Aspekte, Betriebsmechanismen, Charakterisierungstechniken und die vielversprechendsten neuen Anwendungen.

Frühes Lob für Fully Depleted Silicon-On-Insulator"Es ist ein hervorragend geschriebener Leitfaden für alle, die sich eingehend mit SOI beschäftigen möchten, insbesondere mit FD-SOI." -- Dr. Katsu Izumi, ehemals bei NTT Laboratories und dann an der Universität der Präfektur Osaka, Japan.

"Die FDSOI-Technologie ist auf dem besten Weg, einen immer größeren Teil des Halbleitermarktes zu erobern. Dieses Buch passt perfekt in dieses neue Paradigma (...) Es behandelt viele SOI-Themen, die noch nie in einem Buch beschrieben wurden." -- Professor Jean-Pierre Colinge, ehemals bei TSMC und dann bei CEA-LETI, Grenoble, Frankreich.

"Dieses Buch, das von einem der wahren Experten und Pioniere auf dem Gebiet der Silizium-auf-Isolator-Technologie geschrieben wurde, kommt aufgrund der wachsenden Bedeutung von FD-SOI in der modernen Siliziumtechnologie, insbesondere bei IoT-Anwendungen, genau zum richtigen Zeitpunkt. Das Buch ist in einem angenehm lockeren Stil geschrieben und beschreibt sowohl die der FD-SOI-Technologie zugrundeliegende Gerätephysik als auch die hochmodernen, vielleicht sogar futuristischen Geräte, die durch sie ermöglicht werden." -- Professor Alexander Zaslavsky, Brown University, USA.

"Ein hervorragend geschriebenes Buch über die SOI-Technologie von einem Meister auf diesem Gebiet". -- Professor Yuan Taur, Universität von Kalifornien, San Diego, USA.

"Der Autor ist ein weltweit führender Forscher auf dem Gebiet der SOI-Bauelemente/Prozesstechnologie. Dieses Buch ist sein Meisterwerk und wichtig für das FD-SOI-Archiv. Der Leser wird viel aus diesem Buch lernen." -- Professor Hiroshi Iwai, Nationale Yang Ming Chiao Tung Universität, Taiwan.

Vom Autor "Dieses Buch wurde während unseres globalen Krieges gegen die schreckliche Koalition von Corona und heimtückischen Computerviren zusammengestellt. Die kontinuierliche Erleuchtung durch die FD-SOI hat mir geholfen, diese schwarze und graue Zeit zu überstehen. In diesem Buch habe ich viel von mir preisgegeben. Die Spielregel war, den Text trotz des schweren technischen Inhalts leicht zu halten. Auf dem vorderen Umschlag sind sogar versuchsweise FD-SOI-Hieroglyphen abgebildet, die sich aus den im Buch besprochenen Kurven zusammensetzen.".

Weitere Daten des Buches:

ISBN:9780128196434
Autor:
Verlag:
Einband:Taschenbuch
Erscheinungsjahr:2021
Seitenzahl:384

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Letzte Änderung: 2024.11.13 22:11 (GMT)