Grundlagen der Leistungshalbleiterbauelemente

Leserbewertungen

Zusammenfassung:

Das Buch über Leistungshalbleiterbauelemente, insbesondere über IGBTs, wird wegen seines umfassenden Wissens und seiner praktischen Anwendung hoch geschätzt. Es gilt als lohnenswertes Nachschlagewerk für Fachleute und Studenten in diesem Bereich, obwohl es für Anfänger und in bestimmten Formaten nicht ohne Herausforderungen ist.

Vorteile:

⬤ Ausgezeichnete Abdeckung von IGBTs und Leistungshalbleiterbauelementen.
⬤ Enthält wiederholte Einführungen in die wichtigsten Konzepte, was das Verständnis der verschiedenen Themen erleichtert.
⬤ Praktische Illustrationen und Diagramme sind für Fachleute von Vorteil.
⬤ Umfassend und aktualisiert im Vergleich zu früheren Ausgaben.
⬤ Enthält nützliche Fragen am Ende des Kapitels für Lehrzwecke.

Nachteile:

⬤ Der umfangreiche Text kann aufgrund der sich wiederholenden Konzepte mühsam zu lesen sein.
⬤ Nicht ideal für Anfänger oder als eigenständiges Lehrbuch zum Erlernen der Grundlagen der Halbleiterphysik.
⬤ Unscharfe Bilder und Formeln in der Kindle-Version können das Verständnis erschweren.
⬤ Einige Nutzer finden es schwierig, ohne Anleitung von Grund auf zu lernen.

(basierend auf 13 Leserbewertungen)

Originaltitel:

Fundamentals of Power Semiconductor Devices

Inhalt des Buches:

Fundamentals of Power Semiconductor Devices (Grundlagen von Leistungshalbleiterbauelementen) bietet eine eingehende Behandlung der physikalischen Funktionsweise von Leistungshalbleiterbauelementen, die in der Leistungselektronikindustrie häufig verwendet werden.

Es werden analytische Modelle zur Erläuterung der Funktionsweise aller Leistungshalbleiterbauelemente vorgestellt. Der Schwerpunkt liegt dabei auf Silizium-Bauelementen, wobei auch die einzigartigen Eigenschaften und Designanforderungen für neu entstehende Siliziumkarbid-Bauelemente behandelt werden.