
Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, Physics, Design, and Applications
Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, Physics, Design and Applications (Materialien, Physik, Design und Anwendungen) bietet den Lesern eine einzige Ressource, die erklärt, warum diese Geräte den bestehenden Siliziumgeräten überlegen sind. Das Buch legt den Grundstein für das Verständnis einer Reihe von Anwendungen und der erwarteten Vorteile bei der Energieeinsparung.
Autor ist der Gründer des Power Semiconductor Research Center an der North Carolina State University (und Erfinder des IGBT-Bauelements), Dr. B.
Jayant Baliga, einer der angesehensten Experten auf diesem Gebiet. Er leitet daher dieses Team, das die besprochenen Materialien, physikalischen Eigenschaften der Bauelemente, Designüberlegungen und relevanten Anwendungen umfassend überprüft.