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Molecular Beam Epitaxy: Fundamentals and Current Status
Seit Cho und Arthur Ende der 1960er Jahre erstmals erfolgreich eine Molekularstrahl-Apparatur zur Kristallisation und Untersuchung von GaAs-Epitaxieschichten einsetzten, haben sich die Hochvakuum-Epitaxieverfahren mit Teilchenstrahlen rasch weiterentwickelt. Diese Entwicklung beschleunigte sich, als in den 1970er Jahren verschiedene Halbleiterbauelemente mit Quantentopfstrukturen erfunden wurden.
Der wichtige Einsatz dieser Strukturen in Bauelementen wie Quantenwell-Lasern, Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit oder Übergitter-Avalanche-Photodioden gab den Forschungsarbeiten und den Produktionszielen zusätzlichen Auftrieb. Parallel zu dieser Entwicklung ist die Zahl der Originalarbeiten und Übersichtsarbeiten, die sich mit Problemen im Zusammenhang mit diesen Wachstumstechniken befassen, rapide gestiegen, und sie sind zudem sehr unübersichtlich geworden. Gegenwärtig werden in der Literatur jährlich mehrere hundert Originalarbeiten zu diesem Thema veröffentlicht.
Im Gegensatz dazu fehlt es jedoch an umfassenden Monographien, die die ganze Vielfalt der Probleme im Zusammenhang mit dem epitaktischen Wachstum von Halbleiterschichten mit atomaren und molekularen Strahlen behandeln. Dieses Buch gibt einen Überblick über den Stand der Technik der Molekularstrahlepitaxie (MBE), wie sie für das Wachstum von Halbleiterschichten und Mehrschichtstrukturen angewandt wird, und kann dem Leser als praktischer allgemeiner Leitfaden für die Themen im Zusammenhang mit dieser Kristallisationstechnik dienen.".
| ISBN: | 9783642971006 |
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| Sprache: | Englisch |
| Einband: | Taschenbuch |
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