New Memory Paradigms: Memristive Phenomena and Neuromorphic Applications: Faraday Discussion 213
Atomar skalierte „intelligente“ Geräte, künstliche Intelligenz, neuromorphe Funktionen, alternative logische Operationen und Datenverarbeitung, neue Speicherparadigmen, ultraschnelle/bioinspirierte/flexible/transparente/energieeffiziente Nanoelektronik - diese zeitgenössischen Konzepte sind treibende Kräfte für die fortschreitende Entwicklung von Wissenschaft und Technologie, die die Erwartungen der Gesellschaft widerspiegeln und ihre Probleme lösen. Inspiriert durch das Konzept des Memristors (Speicherwiderstand), sollen Redox-basierte resistiv schaltende Random Access Memories (ReRAM) und Phase Change Memories (PCM) all diese Operationen und Funktionalitäten erfüllen können. Darüber hinaus wollen die Forscher diese memristiven Systeme nutzen, um die grundlegenden Eigenschaften des Lebens wie Ordnung, Plastizität, Reaktion auf Reize, Stoffwechsel, Homöostase, Wachstum und Vererbung oder Fortpflanzung auf der Grundlage der Funktionalitäten biologischer Systeme zu ermöglichen.
Dieser Band, an dem Experten aus Industrie und Wissenschaft beteiligt sind, behandelt sowohl die Grundlagen als auch die spezifischen Anforderungen und Grenzen, z. B. bei der Auswahl der Materialien, der Verarbeitung, den geeigneten Modellsystemen, den technischen Anforderungen und den potenziellen Geräteanwendungen, und schlägt so eine Brücke zwischen Terminologien, Theorien, Modellen und Anwendungen.
Zu den in diesem Band behandelten Themen gehören:
Elektrochemische Metallisierung von ReRAMs (ECM)
Valenzänderungs-ReRAMs (VCM)
Phasenwechsel-Speicher (PCM)
Synaptische und neuromorphe Funktionen.
| ISBN: | 9781788015257 |
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| Einband: | Hardcover |
| Erscheinungsjahr: | 2019 |
| Seitenzahl: | 450 |
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