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Quantum Well Structures for Infrared Photodetection
In diesem Buch werden die elektrischen, optischen und strukturellen Eigenschaften von Be-dotierten GaInas/AlGaAs-Multiple-Quantum-Well-Strukturen (MQWs) mit unterschiedlicher Dotierungsdichte in den GaInls-Wells untersucht, die beide selbst entwickelt und hergestellt wurden.
Es wurde festgestellt, dass die höhere Be-Dotierungsdichte in den Wells die Druckbelastung erhöht und die Barrierenhöhe der GaInAs/AlGaAs-MQWs durch umfangreiche optische Charakterisierung vergrößert. Dies führte zu einer Verschiebung der Unterenergieniveaus im Valenzband des Wannenmaterials und der Absorptionswellenlänge, die sich aus der Intersubbandabsorption ergibt.
Diese Beobachtungen wurden durch theoretische Berechnungen auf der Grundlage des Sechs-Band-Luttinger-Kohn-Modells unter Berücksichtigung der Be-Dotierung verifiziert.